AS6C4008-55SIN

4Mb SRAM Speicher-Chip | 512k x 8 | 2,7 - 5 V
Produktbeschreibung
4M SRAM 128kx16 5V 55ns SO32 I+ LF
Details
Technische Daten
  • Typ Low Power Asynchronous
  • Kapazität 4 MBit
  • Aufbau 512k x 8
  • VCC 2,7 - 5
  • DryPack Ja
  • MSL Level 3
  • Min. Arbeitstemperatur -40 °C
  • Max. Arbeitstemperatur 85 °C
  • Gehäuse 32pin 450mil SOP
  • Gewicht 0,01 g

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