AS6C4016A-45BINTR

4Mb SRAM Speicher-Chip | 256K x 16 | 3 V
Produktbeschreibung
- 4M Low Power
- 256K x 16
- 3V
- 48ball TFBGA
- Industrial (-40 ~ 85°C)
Details
Technische Daten
  • Typ Low Power Asynchronous
  • Kapazität 4 MBit
  • Aufbau 256K x 16
  • VCC 3
  • DryPack Ja
  • MSL Level 3
  • Min. Arbeitstemperatur -40 °C
  • Max. Arbeitstemperatur 85 °C
  • Gehäuse 48ball TFBGA
  • Gewicht 0,01 g

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