AS6C8016-55BINTR

8Mb SRAM Speicher-Chip | 512k x 16 | 2,7 - 5 V
Produktbeschreibung
8M SRAM 512kx16 5V 55ns TFBGA48 I+ LF TR
Details
Technische Daten
  • Typ Low Power Asynchronous
  • Kapazität 8 MBit
  • Aufbau 512k x 16
  • VCC 2,7 - 5
  • DryPack Ja
  • MSL Level 3
  • Min. Arbeitstemperatur -40 °C
  • Max. Arbeitstemperatur 85 °C
  • Gehäuse 48ball TFBGA (6x8mm)
  • Gewicht 0,01 g

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