AS8C801825-QC75N

9Mb SRAM Speicher-Chip | 512K x 18 | 3,3 V
Produktbeschreibung
- 9M
- 512K x 18
- 3.3V
- 7.5ns (133,33 Mhz)
- 100 TQFP
- SB
- Commercial (0 ~ 70°C)
Details
Technische Daten
  • Typ Synch
  • Kapazität 9 MBit
  • Aufbau 512K x 18
  • Frequenz 133,33 MHz
  • VCC 3,3
  • DryPack Ja
  • MSL Level 3
  • Max. Arbeitstemperatur 70 °C
  • Gehäuse 100 TQFP
  • Gewicht 0,01 g

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