HCT7000MTX

MOSFET Transistor | N-Channel Enhancement
Produktbeschreibung
N- Channel enhancement mode transisitor
Details
Technische Daten
  • Transistorpolung N-Channel
  • Kanäle 1
  • Kanalmodus Enhancement
  • Min. V(dss) 60
  • Min. Id(on) 75 mA
  • Min. G(fs) 100 ms
  • Max. t(on) / t(off) 10/10 ns
  • PINs 3
  • Hi-Rel Ja
  • Min. Arbeitstemperatur -55 °C
  • Max. Arbeitstemperatur 150 °C
  • Gewicht 0,01 g

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