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SRAM Speicher-ICs

Schnellen Datenzugriff mit SRAM (Static Random Access Memory, statischer RAM) Speicher-ICs von Alliance Memory. Wählen Sie aus unseren synchronen, asynchronen und Pseudo-SRAM-Speicherchips den passenden für Ihre Applikation. Die Anwendungsbereiche der hochwertige SRAM-Speicher-ICs erstrecken sich von Industrie, Kommunikation & IT, Medizintechnik über viele weitere Bereiche.

	Artikel	Hersteller	Typ	Kapazität	Aufbau	Frequenz	VCC	DryPack	MSL Level	Gehäuse	Min. Arbeitstemperatur	Max. Arbeitstemperatur

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Artikel	Hersteller	Typ	Kapazität	Aufbau	Frequenz	VCC	DryPack	MSL Level	Gehäuse	Min. Arbeitstemperatur	Max. Arbeitstemperatur
AS1C1M16P-70BINTR 16Mb SRAM Speicher-Chip \| 1M X16 \| 2,6 - 3,3 V	Alliance Memory	Psuedo SRAM	16 MBit	1M X16	-	2,6 to 3,3 (3)	Ja	3	48 FPBGA (6.0x7.0x1.0mm)	-40 °C	85 °C
AS1C1M16PL-70BINTR 16Mb SRAM Speicher-Chip \| 1M X16 \| 1,7 - 1,95 V	Alliance Memory	Psuedo SRAM	16 MBit	1M X16	-	1,7 to 1,95 (1.8)	Ja	3	48 FPBGA (6.0x7.0x1.0mm)	-40 °C	85 °C
AS1C2M16P-70BINTR 32Mb SRAM Speicher-Chip \| 2M X 16 \| 2,6 - 3,3 V	Alliance Memory	Psuedo SRAM	32 MBit	2M X 16	-	2,6 to 3,3 (3)	Ja	3	48 FPBGA (6.0x7.0x1.0mm)	-40 °C	85 °C
AS1C4M16PL-70BINTR 64Mb SRAM Speicher-Chip \| 4M X16 \| 1,7 - 1,95 V	Alliance Memory	Psuedo SRAM	64 MBit	4M X16	-	1,7 to 1,95 (1,8)	Ja	3	49FBGA (4.0x4.0x.8mm)	-30 °C	85 °C
AS1C512K16P-70BINTR 8Mb SRAM Speicher-Chip \| 512k x 16 \| 2,6 - 3,3 V	Alliance Memory	Psuedo SRAM	8 MBit	512k x 16	-	2,6 to 3,3 (3)	Ja	3	48 FPBGA (6.0x7.0x1.0mm)	-40 °C	85 °C
AS1C512K16PL-70BINTR 8Mb SRAM Speicher-Chip \| 512k x 16 \| 1,7 - 1,95 V	Alliance Memory	Psuedo SRAM	8 MBit	512k x 16	-	1,7 to 1,95 (1.8)	Ja	3	48 FPBGA (6.0x7.0x1.0mm)	-30 °C	85 °C
AS1C8M16PL-70BINTR 128Mb SRAM Speicher-Chip \| 8M X16 \| 1,7 - 1,95 V	Alliance Memory	Psuedo SRAM	128 MBit	8M X16	-	1,7 to 1,95 (1.8)	Ja	3	49FBGA (4.0x4.0x1.0mm)	-30 °C	85 °C
AS62V256A-70SINTR 256Mb SRAM Speicher-Chip \| 32K X 8 \| 2.4 - 3,6 V	Alliance Memory	Low Power Asynchronous	256 MBit	32K X 8	-	2.4 - 3,6	Ja	3	28pin 330mil SOP	-40 °C	85 °C
AS6C1008-55BINTR 1Mb SRAM Speicher-Chip \| 128K X 8 \| 2,7 - 5 V	Alliance Memory	Low Power Asynchronous	1 MBit	128K X 8	-	2,7 - 5	Ja	3	36ball TFBGA (6mm x 8mm)	-40 °C	85 °C
AS6C1008-55SIN SRAM Speicher-Chip	Alliance Memory	Low Power Asynchronous	1 MBit	128K X 8	-	2,7 - 5	Ja	3	32pin 450mil SOP	-40 °C	85 °C
AS6C1008-55-SINL 1Mb SRAM Speicher-Chip \| 128K X 8 \| 2,7 - 5 V	Alliance Memory	Low Power Asynchronous	-	-	-	-	Nein	-	-	-	-
AS6C1008-55SINLTR 1Mb SRAM Speicher-Chip \| 128K X 8 \| 2,7 - 5 V	Alliance Memory	Low Power Asynchronous	1 MBit	128K X 8	-	2,7 - 5	Ja	3	32pin 450mil SOP	-40 °C	85 °C

Hinweis: Das aktuelle Datenblatt des Herstellers ist maßgeblich

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