Neue 4GB und 8GB eMMC Lösungen

Alliance Memory stellt zwei neue industrietaugliche Embedded-Multi-Media-Card-Lösungen (eMMC) vor. Die ASFC4G31M-51BIN mit 4 GB und die ASFC8G31M-51BIN mit 8 GB kommen mit einem integrieren NAND-Flash-Speicher mit einem eMMC-Controller und einer Flash-Transition-Layer (FTL)-Management-Software in einem einzigen 11,5 mm x 13 mm großen 153-Ball-FBGA-Package.

Für Entwickler vereinfachen die Bausteine das Design für eine schnelle und einfache Systemintegration - was die Produktentwicklung und die Markteinführung beschleunigt - und sparen gleichzeitig Platz, da kein externer Controller benötigt wird. Darüber hinaus bietet die FTL-Software eine hohe Zuverlässigkeit und stabile Leistung mit Wear-Leveling und Bad-Block-Management.

Die eMMC’s bieten sich für den Einsatz als Solid-State-Speicher in Verbraucher-, Industrie- und Netzwerkanwendungen wie zum Beispiel Smartwatches, Tablets, Digitalfernseher, Set-Top-Boxen, VR- und AR-Headsets, Digitalkameras, Infotainment, CCTV, Überwachung, Automatisierung, Point-of-Sale-Systeme und neue Embedded-Anwendungen an.

Wichtige Spezifikationen und Vorteile:

• Entspricht dem JEDEC eMMC v5.1 Industriestandard und unterstützt Funktionen wie:
• Boot-Betrieb
• Replay-Protected-Memory-Block (RPMB)
• Bericht über den Gerätezustand
• Firmware-Updates vor Ort
• Benachrichtigung beim Ausschalten
• Verbesserte Strobe-Funktionen für schnelleren und zuverlässigeren Betrieb
• Write-Leveling
• High-Priority-Interrupt (HPI)
• Sicheres Trimmen/Löschen
• Hochgeschwindigkeitsmodi HS200 und HS400
• Abwärtskompatibel mit eMMC v4.5 und v5.0
• Betrieb über einen industriellen Temperaturbereich von -40°C bis +85°C
• Bietet programmierbare Busbreiten von x1, x4 und x8
• Der NAND-Speicher mit internem LDO kann mit einer einzigen 3-V-Versorgungsspannung betrieben werden
• Der Controller kann mit einer dualen Versorgungsspannung von 1,8 V oder 3 V betrieben werden

Muster und Produktionsmengen der eMMCs werden im ersten Quartal 2022 mit einer Vorlaufzeit von 12 Wochen verfügbar sein.